반도체 1나노 전쟁 개막 — TSMC 1.6나노 양산 vs 삼성전자 GAA 추격, 2028 결전의 로드맵

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📑 목차
  1. '꿈의 공정' 1나노 — 왜 지금 전쟁이 시작됐나
  2. TSMC vs 삼성전자 — 기술 로드맵 비교
  3. Sub-2nm 핵심 기술 — GAA·BSPDN·고NA EUV
  4. 한국 반도체 생태계에 미치는 영향
이슈 스냅샷
반도체 초미세공정(Sub-2nm) 경쟁 | 산업·기술
TSMC: 2나노 2026 양산 (전량 예약) → 1.6나노 2026 하반기 → A14(1.4나노) 2028
삼성전자: 2나노 GAA SF2 2025 양산 → 1.4나노 SF1.4 개발 → 1나노 돌입 선언
핵심: GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조 | 백사이드 전력공급(BSPDN) | EUV 고NA

‘꿈의 공정’ 1나노 — 왜 지금 전쟁이 시작됐나

반도체 역사에서 공정 미세화는 무어의 법칙 그 자체였다. 10나노에서 7나노, 5나노, 3나노로 내려갈 때마다 물리적 한계론이 등장했지만, 업계는 매번 신소재와 새로운 트랜지스터 구조로 벽을 넘었다. 2026년 4월 현재, 그 최전선은 2나노 이하(Sub-2nm) 영역으로 이동했다.

TSMC는 2026년 하반기 N1.6(1.6나노) 공정 양산을 공식 발표하며 업계를 놀라게 했다. 이미 N2(2나노) 공정 물량은 2026년 말까지 전량 예약 완료 상태다. 반면 삼성전자는 SF2(2나노 GAA) 양산을 본격화하면서, 동시에 1나노 공정 개발에 공식 돌입했다고 밝혔다. 인텔은 Intel 18A(1.8나노급)로 파운드리 재진입을 선언한 상태다.

3사가 동시에 Sub-2nm 경쟁에 돌입한 배경은 단순하다. AI 반도체 수요 폭발이다. 엔비디아·AMD·구글·메타 등이 설계하는 AI 가속기(GPU·TPU·LPU)는 더 많은 트랜지스터를 더 작은 면적에 넣어야 하고, 이를 가능하게 하는 건 오직 공정 미세화뿐이다.

TSMC vs 삼성전자 — 기술 로드맵 비교

파운드리 로드맵 비교 (2026~2028)

시점TSMC삼성전자인텔
2026 상반기N2 양산 (전량 예약)SF2(2nm GAA) 양산Intel 18A 시생산
2026 하반기N1.6 양산 시작테일러 팹 가동Intel 18A 양산
2027N1.6P (성능 강화)SF1.4(1.4nm) 개발Intel 14A
2028A14(1.4nm) 양산1nm 목표Intel 10A (목표)

TSMC의 무기는 ‘규모와 속도’다. N2 공정은 GAA(나노시트) 구조를 채택하면서도 수율을 빠르게 안정시켰다. 2나노 캐파가 포화되자 곧바로 1.6나노를 내놓는 속공전법으로, 고객사(애플·엔비디아·퀄컴·AMD)를 묶어둔다. TSMC의 파운드리 글로벌 점유율은 약 62%로, 2위 삼성(약 11%)과의 격차가 크다.

삼성전자의 무기는 ‘GAA 선점’과 ‘풀스택’이다. 삼성은 2022년 세계 최초로 3나노 GAA 양산에 성공한 바 있다. 메모리(HBM·DRAM·NAND)와 파운드리를 동시에 보유한 유일한 기업이라는 점도 AI 시대에 강점이다. 2026년 미국 텍사스 테일러 팹이 가동되면 엑시노스, 테슬라 AI칩, 퀄컴 AP 등 주요 물량을 소화한다.

Sub-2nm 핵심 기술 — GAA·BSPDN·고NA EUV

2나노 이하 공정에서 경쟁력을 가르는 기술은 크게 세 가지다.

① GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터: 기존 FinFET은 게이트가 3면만 감싸지만, GAA는 채널 전체를 4면으로 감싸 전류 누설을 획기적으로 줄인다. TSMC는 N2부터, 삼성은 3나노부터 GAA를 도입했다. 나노시트(Nanosheet) 형태가 주류이며, 시트 수를 늘리면 성능이 올라간다.

② BSPDN(Backside Power Delivery Network): 전력선을 칩 뒷면으로 돌려 신호선과 분리하는 기술이다. 기존에는 앞면에 신호+전력 배선이 몰려 면적 효율이 떨어졌지만, BSPDN은 로직 면적을 10~15% 줄이면서 전력 효율도 개선한다. TSMC N1.6과 삼성 SF1.4 모두 BSPDN 도입이 예정되어 있다.

③ 고NA(High-NA) EUV 리소그래피: ASML의 차세대 노광장비 EXE:5000(High-NA EUV, NA=0.55)은 기존 EUV(NA=0.33) 대비 해상도가 약 1.7배 개선된다. 1나노 이하 공정에서 사실상 필수 장비로, 대당 가격은 4억 달러(약 5,500억 원)에 달한다. TSMC와 삼성 모두 고NA EUV 도입을 확정한 상태다.

한국 반도체 생태계에 미치는 영향

삼성전자의 Sub-2nm 경쟁은 한국 반도체 장비·소재 기업들에도 직접적 영향을 준다. GAA 공정 전환으로 원익IPS(240810)(CVD/ALD 장비), 주성엔지니어링(036930)(ALD 박막장비), 한미반도체(042700)(TC본더·HBM 후공정) 등 코스닥 장비주들의 수주가 확대되고 있다. 소재 쪽에서는 동진쎄미켐(005290)(포토레지스트), 솔브레인(357780)(식각액)이 EUV 공정 확대의 직접 수혜주로 꼽힌다.

글로벌 반도체 장비 시장은 2025년 약 $1,090억에서 2026년 $1,200억+으로 성장이 전망된다. 특히 EUV 관련 장비와 GAA 전환용 증착·식각·세정 장비 수요가 급증하는 국면이다.

📅 주요 일정
* 2026 상반기: TSMC N2(2nm) 본격 양산 + 삼성 SF2 양산 확대
* 2026 하반기: TSMC N1.6(1.6nm) 양산 시작 / 삼성 테일러 팹 가동
* 2027: ASML 고NA EUV 본격 출하 / 삼성 SF1.4 개발 완료 목표
* 2028: TSMC A14(1.4nm) 양산 / 삼성 1nm 목표 / 인텔 10A 목표

Q: 1나노는 원자 몇 개 크기인가?

A: 실리콘 원자의 직경이 약 0.2나노미터이므로 1나노는 실리콘 원자 5개 정도 크기다. 다만 ‘1나노 공정’이라는 명칭은 실제 게이트 길이를 의미하는 것이 아니라 세대명에 가깝다. 실제 트랜지스터의 물리적 치수는 이보다 크다. 업계에서는 트랜지스터 밀도(MTr/mm²)로 비교하는 것이 더 정확하다.

Q: 삼성이 TSMC를 따라잡을 수 있나?

A: 기술 격차는 약 1~2년으로 추정된다. 삼성이 GAA를 먼저 도입한 건 사실이지만 수율 안정화에서 TSMC가 앞선다. 다만 AI 칩 수요가 TSMC 캐파를 초과하는 상황이 지속되면, 삼성이 ‘대안 파운드리’로서 점유율을 끌어올릴 가능성이 있다. 테일러 팹 가동이 분수령이 될 전망이다.

Q: 고NA EUV가 왜 중요한가?

A: 기존 EUV로는 1나노 이하 패턴을 한 번에 찍기 어려워 더블 패터닝(2회 노광)이 필요하다. 고NA EUV는 해상도 1.7배 개선으로 싱글 패터닝이 가능해져 공정 단계를 줄이고 원가를 낮춘다. 하지만 장비 가격이 4억 달러에 달해 TSMC·삼성·인텔 외에는 도입이 사실상 불가능하며, 이것이 파운드리 3강 구도를 더 굳히는 요인이 된다.

Summary: The sub-2nm semiconductor race has officially begun. TSMC plans to mass-produce its N1.6 (1.6nm) process in H2 2026, with N2 (2nm) capacity already fully booked. Samsung Electronics has launched 1nm development while ramping SF2 (2nm GAA) and preparing its Taylor, Texas fab for operation. Intel targets Intel 18A (1.8nm-class) production. Three key technologies define this era: GAA (Gate-All-Around) transistors for better current control, BSPDN (Backside Power Delivery) for 10-15% area reduction, and High-NA EUV lithography ($400M per tool) for sub-1nm patterning. Korean equipment makers (Wonik IPS, Jusung Engineering, Hanmi Semiconductor) and materials firms (Dongjin Semichem, Soulbrain) stand to benefit from the GAA/EUV transition. The 2028 timeline — TSMC A14 vs Samsung 1nm — will determine the next decade of foundry leadership.

※ 본 기사는 서울경제, 한국경제, SPTA Times, ASML IR, 삼성전자 IR 등 복수 매체 보도를 재가공한 것입니다. 투자 판단은 본인 책임입니다.

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본 콘텐츠는 AI가 자동 생성한 분석 자료이며, 투자 추천이 아닙니다. 특정 종목의 매수·매도를 권유하지 않습니다. 모든 투자 판단과 그에 따른 책임은 투자자 본인에게 있습니다. 본 자료는 참고용이며, 정확성을 보장하지 않습니다.

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