SiC 50억 달러, GaN 연 49% 성장 – DB하이텍(000990) GaN 양산 원년과 전력반도체 코스닥 수혜주

전력반도체, AI와 전기차가 만든 또 하나의 반도체 슈퍼사이클

AI 반도체와 메모리에 가려져 있지만, 조용히 폭발적 성장을 이루고 있는 분야가 전력반도체(Power Semiconductor)다. SiC(탄화규소) 시장이 2026년 50.4억 달러를 돌파하며 전년 대비 25% 성장하고, GaN(질화갈륨)은 연평균 49%라는 경이적 성장률로 2030년 43.8억 달러 시장을 형성할 전망이다.

전력반도체는 전기를 변환/제어하는 반도체로, 모든 전자기기의 전원 관리에 필수적이다. AI 데이터센터의 전력 효율, 전기차 인버터/충전기, 태양광/풍력 인버터, 5G 기지국 등 전력 소비가 큰 분야에서 수요가 폭증하고 있다.

기존 실리콘(Si) 소재 대비 SiC와 GaN은 내열성/에너지 효율/스위칭 속도에서 월등히 우수하다. SiC는 고전압/고전력(전기차/산업용)에, GaN은 고주파/고효율(충전기/통신/서버 전원)에 각각 특화된다. 2030년까지 와이드밴드갭(WBG) 반도체가 차량용 전력반도체 시장의 60%를 차지할 것으로 예상된다.

DB하이텍 – 8인치 GaN 파운드리 양산 원년

DB하이텍(000990)은 국내 유일의 파워 파운드리(전력반도체 위탁생산) 기업이다. 2024년 650V 전계모드 GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 공정 개발을 완료했으며, 2026년 하반기부터 8인치 GaN 파운드리 본격 양산에 돌입한다.

8인치 GaN 양산은 한국 전력반도체 산업의 이정표다. 기존에는 GaN 칩을 해외(미국 GaN Systems/일본 등)에서 수입했지만, DB하이텍이 양산에 성공하면 국산 GaN 공급이 가능해진다. 전기차 온보드 충전기, 서버 전원, 고속 충전기 등의 핵심 부품을 국내에서 조달할 수 있는 체제가 마련되는 것이다.

DB하이텍은 기존에도 Si 기반 전력반도체 파운드리를 운영하며 안정적 매출을 확보하고 있어, GaN은 기존 사업에 고성장 영역을 더하는 구조다.

글로벌 경쟁 구도와 울프스피드 리스크

SiC 전력반도체 시장에서는 미국 울프스피드(Wolfspeed)의 파산보호 신청 가능성이 업계를 뒤흔들고 있다. SiC 웨이퍼 시장의 핵심 공급사인 울프스피드가 흔들리면 글로벌 SiC 공급망에 차질이 생기며, 한국 기업의 대체 공급 기회가 될 수 있다.

일본의 로옴(Rohm)과 독일 인피니온(Infineon)이 SiC 시장을 주도하고 있으며, 중국도 저가 SiC 칩을 대량 생산하며 추격하고 있다. 한국은 SiC 웨이퍼 자체 생산 역량이 제한적이지만, 패키징/모듈/디바이스 분야에서 틈새를 공략하고 있다.

코스닥 전력반도체 수혜주

예스파워테크닉스(073570)는 전력반도체 모듈 조립/테스트 전문으로, SiC/GaN 모듈 패키징 수요가 증가하면 직접 수혜를 받는다. 전기차/산업용 인버터 모듈 납품 이력이 있다.

시그네틱스(033170)는 반도체 패키징(후공정) 전문으로, 전력반도체 패키징 수요 확대에 연동된다. 이엔에프테크놀로지(102710)는 전자재료/화학 소재 전문으로 반도체 공정 소재를 공급한다. 파워로직스(047310)는 전력 관리 IC(PMIC) 설계 기업으로, 모바일/IoT 기기의 전력 효율 향상 수요에 대응한다.

• DB하이텍 GaN 양산 시작(하반기): 양산 품질/수율이 매출 반영 시점 결정
• 울프스피드 파산 리스크: SiC 공급망 재편 시 한국 기업 대체 공급 기회
• 정부 기술로드맵: 전력반도체 R&D 예산 확대 여부가 업종 성장 가속화에 영향
• 전기차 판매량: SiC 인버터 탑재 전기차 비율 증가가 시장 규모 결정
• AI 데이터센터 전력효율: GaN 서버 전원이 채택되면 DB하이텍 파운드리 수주 급증

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